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Si4936CDY
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
20
5
V GS = 10 V thr u 4 V
4
15
3
10
2
5
V GS = 3 V
1
T C = 25 °C
T C = 125 °C
0
V GS = 1 V, 2 V
0
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
0.06
0.05
0.04
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
400
300
200
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
0.03
0.02
100
0
C rss
C oss
0
5
10
15
20
0
5
10
15
20
25
30
10
8
6
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
I D = 5 A
1.7
1.5
1.3
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
V GS = 10 V ; I D = 5 A
4
2
0
V DS = 15 V
V DS = 24 V
1.1
0.9
0.7
V GS = 4.5 V ;
I D = 4.7 A
0
1
2
3
4
5
6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 69097
S09-0390-Rev. C, 09-Mar-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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